為什么要控制氨逃逸？

（1）對于噴氨流量分布不均造成的氨逃逸偏差，可以通過調(diào)整氨水噴槍前的球閥控制，在平時(shí)操作中盡可能使旋轉(zhuǎn)噴槍槍頭朝下，增加反應(yīng)時(shí)間，每只槍噴氨分布均勻（其操作看壓力降），NH?與NO充分反應(yīng)，降低NH?/NO摩爾比，從而降低氨逃逸，達(dá)到脫硝效率與運(yùn)行費(fèi)用的平衡。

 

氨逃逸濃度增加還與氨水噴槍噴嘴密切相關(guān)，當(dāng)氨水噴槍噴嘴堵塞時(shí)將加劇逃逸氨的產(chǎn)生，應(yīng)在鍋爐運(yùn)行過程中檢查氨水噴槍，及時(shí)疏通或更換，確保氨水噴槍正常投運(yùn)。

 

（2）煙氣溫度決定著SNCR和SCR的反應(yīng)效果，進(jìn)而影響氨逃逸的大小。煙氣溫度變化幅度大，在低負(fù)荷時(shí)，煙溫下降，局部煙溫太低，會引起催化劑活性下降，從而引起氨逃逸升高，本脫硝所選用的催化劑在315~380℃范圍為最佳，所以要根據(jù)鍋爐負(fù)荷和燃燒情況在滿足的條件下維持煙氣溫度在最佳范圍內(nèi)。煤粉專燒時(shí)，SCR反應(yīng)器溫度達(dá)到345℃左右，能很好滿足氮氧化物與氨水反應(yīng)條件，SCR反應(yīng)器反應(yīng)效率提高，SCR反應(yīng)器出口氮氧化物及氨逃逸濃度偏低，氮氧化物濃度平均達(dá)到60mg/m3，氨逃逸濃度平均達(dá)到2.8ppm；煤氣混燒時(shí)，SCR反應(yīng)器溫度只有300℃左右，此時(shí)通過鍋爐配風(fēng)調(diào)節(jié)提高鍋爐火焰中心位置或通過增加上層燃?xì)鈽屓細(xì)饬刻岣逽CR反應(yīng)器溫度的方法，降低SCR反應(yīng)器出口氮氧化物及氨逃逸濃度。

 

（3）催化劑存在著使用壽命，一旦使用時(shí)間過長老化，催化效果就會變差，脫硝反應(yīng)也會變差，為保證環(huán)保合格的情況下大量噴氨就會造成氨逃逸增加，所以當(dāng)催化劑老化時(shí)要及時(shí)在停爐大小修時(shí)進(jìn)行更換，保證氨逃逸合格的同時(shí)，也能更好做好環(huán)保。

 

（4）燃煤鍋爐，脫硝反應(yīng)區(qū)處在高灰塵區(qū)，會在反應(yīng)區(qū)積累灰塵，積灰將會使反應(yīng)變差，氨逃逸增加。鍋爐運(yùn)行過程中SCR反應(yīng)器每周至少吹灰一次，清除SCR反應(yīng)器積灰提高SCR反應(yīng)器效率，降低氨逃逸濃度。

 

（5）霧化風(fēng)對于脫硝反應(yīng)明顯，也直接決定著氨逃逸，而氨水能否充分的霧化與風(fēng)量成正比關(guān)系，為提高氨槍霧化效果，需提高壓縮空氣壓力在350kpa以上。

 

（6）當(dāng)鍋爐燃燒擾動時(shí)要及時(shí)根據(jù)脫硝反應(yīng)器入口的NOx含量對氨水進(jìn)行調(diào)整分配，防止氨逃逸過大或兩側(cè)偏差大，甚至因?yàn)檎{(diào)整不到位帶來的環(huán)保超標(biāo)問題。鍋爐負(fù)荷變化會導(dǎo)致鍋爐煙氣量、煙氣溫度及SCR入口濃度變化。當(dāng)鍋爐負(fù)荷降低時(shí)，煙氣量減少，煙氣中氮氧化物含量降低使得SCR反應(yīng)器內(nèi)流速降低，煙氣在催化劑上停留時(shí)間增加，提高了脫硝效率，從而降低了氨逃逸濃度。

 

（7）其他影響因素及防范

 

鍋爐煙氣在SCR反應(yīng)器停留時(shí)間為0.1～0.2s，為使鍋爐煙氣中殘留氨水與煙氣中的氮氧化物在催化劑作用下有足夠反應(yīng)時(shí)間，降低鍋爐SCR反應(yīng)器出口氮氧化物、氨逃逸濃度，通常選擇降低鍋爐爐膛負(fù)壓的方式進(jìn)行，鍋爐運(yùn)行過程中鍋爐爐膛負(fù)壓控制在-30～-50Pa之間，鍋爐燃燒穩(wěn)定，在SCR反應(yīng)器出口氮氧化物達(dá)標(biāo)排放前提下、氨逃逸濃度能有效控制。當(dāng)氨逃逸過大不好好控制的話會生成的硫酸氫銨，不僅會造成催化劑層的失效和空預(yù)器堵塞，更會造成更大的嚴(yán)重問題，腐蝕設(shè)備降低壽命。

 

總之，合理控制鍋爐SCR出口氨逃逸濃度能有效預(yù)防鍋爐空預(yù)器堵塞及減輕氨水對下游設(shè)備的腐蝕，SCR脫硝裝置在運(yùn)行過程中應(yīng)對氨逃逸應(yīng)予以高度重視。鑒于此，有必要加強(qiáng)SNCR、SCR運(yùn)行階段科學(xué)調(diào)控，將SCR裝置的氨逃逸率控制到3ppm左右，甚至以下，減輕氨逃逸后硫酸銨或硫酸氫銨生成對爐后設(shè)備的影響。